Sistema RF con amplificador de potencia de banda C de banda ultraancha de 4-8 GHz y 50 W

Este amplificador de potencia de banda ancha de 50 W es un módulo RF de alto rendimiento diseñado para aplicaciones que requieren una potencia de salida sólida en el rango de frecuencia de 4 GHz a 8 GHz. Utilizando tecnología avanzada de GaN (nitruro de galio), ofrece alta densidad de potencia, excelente eficiencia y linealidad confiable en un amplio ancho de banda instantáneo. El amplificador está diseñado para ofrecer estabilidad, durabilidad y rendimiento constante en entornos exigentes.

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Descripción del Producto

Características clave

Rendimiento de banda ancha: funciona sin problemas en todo el espectro de 4 GHz a 8 GHz (banda C) sin necesidad de cambiar de banda.

Alta potencia de salida: Ofrece una potencia de salida saturada típica de 50 vatios (47 dBm) como mínimo en toda la banda.

Alta ganancia: presenta una ganancia típica de señal pequeña de 50 dB (mínimo), lo que garantiza una amplificación de señal eficaz desde fuentes de baja potencia.

Excelente planitud de ganancia: Mantiene una planitud de ganancia superior de típicamente ±1,5 dB en todo el rango de frecuencia para un rendimiento uniforme.

Alta eficiencia: incorpora un diseño de alta eficiencia, que normalmente logra un 30 % de eficiencia de energía agregada (PAE), lo que reduce la carga térmica y el consumo de energía de CC.

Rendimiento lineal robusto: ofrece un punto de compresión alto de 1 dB (OP1 dB), normalmente > 47 dBm, y admite amplificación lineal y saturada para varios esquemas de modulación.

Protección y control integrados: Incluye funciones de seguridad integrales: protección de voltaje inverso, apagado por sobretemperatura y protección contra sobrecarga de salida/VSWR. Interfaz analógica estándar para control de polarización, activación/desactivación (TTL) y monitoreo de estado.

Gestión térmica: Diseñado con un eficiente sistema de enfriamiento de placa base para garantizar un funcionamiento confiable en condiciones de carga completa. Rango de temperatura operativa de la caja: -40°C a +85°C.

Construcción robusta: Alojado en un paquete metálico robusto y herméticamente sellado para un blindaje superior y resistencia ambiental, adecuado para aplicaciones militares, aeroespaciales e industriales.

No.	Descripción	Símbolo	mín.	tipo	máx.	Unidad	Observación
1.	Frecuencia de funcionamiento	peso corporal	4000		8000	megahercio
2.	Potencia de entrada	Alfiler		0		dBm
3.	Potencia de salida CW	Psat	47	48.5	49.5	dBm	Onda Continua
4.	Ganancia de potencia	gp	47		49.5	dBm	@ Pin=0 dBm
5.	Planitud de ganancia de potencia	△Gp		±1,5		dB	@ Pin=0 dBm
6.	Pequeña ganancia de señal	G	49	50.5	52	dB	@ Pin=-5dBm
7.	Planitud de ganancia de señal pequeña	△G		±2		dB	@ Pin=-5dBm
8.	Pérdida de retorno de entrada	T11		-15		dB
9.	Voltaje de funcionamiento	Vcc	28	28	32	V
10.	Consumo actual	A		6	8	A	@ Puchero=50~90W
11.	Temperatura de trabajo		-40℃~+50℃
12.	Entrada del conector RF		AME, Mujer
13.	Salida del conector RF		AME, Mujer
14.	Peso			0.439	0.50	kilos
15.	LargoAnchoAlto		1348022			milímetros
16.	Potencia de entrada	pinmax	-5		5	dBm
17.	Definición de interfaz (7W2 Mujer)	VDD	A1	Suelo
		Tierra	A2	28Vcc
		Sentido actual	1	Voltaje analógico relativo a la corriente del módulo @ 100 mV/A
		Sentido Temporal	2	Voltaje analógico relativo a la temperatura del módulo a 10 mV/℃
		Permitir	3	Habilitación del amplificador			Habilitación del amplificador: Lógica TTL alta (3,3 V) (Bajo internamente)
		Tierra	4	Suelo
	Dimensión general	Nota: 1、 Las dimensiones generales son solo de referencia； 2 、 El tamaño se puede aumentar o disminuir adecuadamente según los requisitos del cliente; 3、 Las posiciones de la interfaz de entrada, la interfaz de salida y la interfaz de fuente de alimentación se pueden cambiar según las necesidades reales de los clientes;

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